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2025-03-25
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+品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,能源,電子/電池,電氣,綜合 |
關(guān)鍵詞:Hfo2, 鉿基鐵電,鐵電薄膜,疲勞,電滯回線
一、產(chǎn)品介紹:
HFO-100型鉿基鐵電薄膜測試儀是一款高量程款的鐵電性能材料測試裝置,這款設(shè)備可以適用于鐵電薄膜、鐵電體材料(既可塊體材料)的電性能測量,可測量鐵電薄膜電滯回線、可測出具有非對稱電滯回線鐵電薄膜值。可以進(jìn)行電致應(yīng)變測試,可以蝴蝶曲線功能,設(shè)備還可以擴(kuò)展高溫電阻,高溫介電,電容-電壓曲線,TSC/TSDC等功能。鐵電材料的大規(guī)模應(yīng)用源自鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鈦酸鋇鐵電體的發(fā)現(xiàn),直到今日鈣鈦礦鐵電體仍然是無機(jī)鐵電體中的主流。然而,在微納電子應(yīng)用中,與 CMOS 工藝更兼容的鉿基鐵電薄膜逐漸成為研究熱點(diǎn)。本儀器是從事壓電材料及壓電元件生產(chǎn)、應(yīng)用與研究部門的重要設(shè)備之一,已經(jīng)在各大高校和科研院所廣泛使用。
二、氧化鉿鐵電材料的崛起
傳統(tǒng)的鈣鈦礦類鐵電材料由于尺寸難以進(jìn)一步縮小,已經(jīng)難以滿足現(xiàn)代集成電路對高密度與高集成度的需求。而氧化鉿(HfO?)基鐵電材料憑借其的微縮能力和與現(xiàn)有CMOS工藝的兼容性,成為近年來鐵電研究的熱點(diǎn)材料。氧化鉿材料的出現(xiàn)標(biāo)志著鐵電材料從傳統(tǒng)邁向現(xiàn)代,開啟了存儲器應(yīng)用的新紀(jì)元。
主要功能:
■高存儲密度:單個存儲單元由一個晶體管構(gòu)成,可實(shí)現(xiàn)高密度集成;
■低功耗:極化翻轉(zhuǎn)所需能量低于傳統(tǒng)存儲器;
■高速性:操作速度小于20納秒,適合實(shí)時性要求高的應(yīng)用場景;
■非破壞性讀?。?/span>避免數(shù)據(jù)讀取過程中對存儲狀態(tài)的破壞,提高整體存儲效率。
二、主要技術(shù)指標(biāo):
1、輸出信號電壓::±100 V可擴(kuò)展電致應(yīng)蝴蝶曲線功能
2、溫度;室溫-200℃,控溫精度:±1℃
3、控制施加頻率0.01到1KHz(陶瓷、單晶,薄膜)PC端軟件控制自定義設(shè)置;
4、控制輸出電流0到±50mA連續(xù)可調(diào),PC端軟件控制自定義設(shè)置。
5、動態(tài)電滯回線測試頻率范圍 0.01Hz-1kHz
7、最小脈寬保持時間為20us;最小上升沿時間為10us;
8、疲勞測試頻率500kHz(振幅10 Vpp,負(fù)載電容1 nF);
9、測試速度:測量時間《5秒/樣品•溫度點(diǎn)
10、樣品規(guī)格:塊體材料尺寸:直徑2-100mm,厚度0.1-10mm
11、主要功能: 動態(tài)電滯回線DHM,靜態(tài)電滯回線SHM,I-V特性,脈沖PUND,疲勞Fatigue,電擊穿強(qiáng)度BDM,漏電流LM,電流-偏壓,保持力RM,
10. 電荷解析度不小于10 mC;
漏電流測量范圍:1pA~ 20 mA,分辨率不低于0.1pA;
12、控制方式:計算機(jī)實(shí)時控制、實(shí)時顯示、實(shí)時數(shù)據(jù)計算、分析與存儲
13、軟件采集:自動采集軟件,分析可以兼容其他相關(guān)主流軟件。
14、測試精度:±0.05%
15、內(nèi)置電壓:±20V
16、可增模塊:
印跡印痕IM
變溫測試THM
POM 模塊實(shí)現(xiàn)極化測量功能
CVM模塊實(shí)現(xiàn)小信號電容測試,獲得C-V曲線
PZM模塊實(shí)現(xiàn)壓電特性測試
DPM模塊測試介電性能
RTM模塊測試電阻/電阻率性能
CCDM模塊實(shí)現(xiàn)電容充放電測試。
17、探針臺(選配):
規(guī)格/參數(shù) | |||||||
型號 | MPS-4 | MPS-6 | MPS-8 | MPS-12 | |||
電力需求 | 220VC,50-60HZ | ||||||
樣品臺 | 尺寸 | 4寸 | 6寸 | 8寸 | 12寸 | ||
行程 | XY行程50mm,Z軸升降60mm,360°旋轉(zhuǎn)可鎖緊 | ||||||
移動精度 | 標(biāo)配10μm,可升級(5μm,3μm,1μm) | ||||||
背電極測試功能 | 可以引出電極 | 可以引出電極 | 可以引出電極 | 可以引出電極 | |||
定制模塊 | 可定制位移行程和精度 | 可定制位移行程和精度 | 可定制位移行程和精度 | 可定制位移行程和精度 | |||
探針調(diào)整座 | XYZ行程 | 13mm-13mm-13mm | |||||
機(jī)械精度 | 標(biāo)配10μm,可升級(5μm,3μm,1μm) | ||||||
漏電精度 | 10pA-100fA(配置屏蔽箱) | ||||||
安裝方式 | 直接磁力吸附/可調(diào)磁力吸附/真空吸附 | ||||||
接口形式 | 香蕉插頭/鱷魚夾/同軸BNC/三同軸BNC | ||||||
光學(xué)成像 | 放大倍數(shù) | 7-200倍(最大可升級到720倍) | |||||
CCD像素 | 500W(可升級200W) | ||||||
中心距離 | 140mm,升降范圍270mm,總高度350mm | ||||||
顯示器 | 8寸顯示器,將3-17mm的樣品放大到整個屏幕(可升級大尺寸顯微鏡) | ||||||
可選附件 | 加熱卡盤 | 高低溫卡盤 | 鍍金卡盤 | ||||
隔振支架 | 積分球測試選件 | 屏蔽箱 | |||||
射頻測試附件 | 導(dǎo)入光源支架 | 波長單色可調(diào)光纖光源(測光電流) | |||||
顯微鏡調(diào)節(jié)手動/電動調(diào)節(jié)裝置 | 激光切割顯微鏡 | 轉(zhuǎn)接頭配件 | |||||
美國TF-2000測試數(shù)據(jù)對比圖
美國TF-2000測試數(shù)據(jù)對比圖